EBSD：電子後方散乱回折法
概要
TEM（NBD：Nano Beam Diffraction）のような薄片化加工を行うことなく、バルク状態での測定が可能です。
SEM特有の高い空間分解能を持ち、比較的高い歪み感度を持っています。
また、局所的な格子歪みをテンソルデータとして検出できる可能性があります。*
EBSD歪み測定の原理
歪み測定各手法との比較
※）引用：鈴木清一, David J. Dingley：”EBSDパターンを用いた格子歪みの精密測定”, 顕微鏡Vol.42, No.2
データ例
SOI基板の断面歪み解析結果：ラマン測定との比較
SOI基板の断面歪み解析結果：3方向での歪み解析データの比較
※x2方向（試料傾斜方向）ではビームが広がるため、信頼性が低くなります。
仕様
- 測定実績：Si, GaN, InP等
- 測定可能領域：1μm～数十μm（ライン分析）
- 分解能：数十nm～
注意点
- 分析の際、凹凸の影響を大きく受けます。
- 測定ライン中、もしくはその延長線上から参照パターンを取得する必要があります。
