FIB：集束イオンビーム加工
FIBを用いたTEM観察用薄膜試料作製法では、高エネルギーのGaイオン（加速電圧30kV）を用いており、加工面にダメージ層が生じ、TEMの像質低下の原因となっています。そこで従来より低加速（2kV）の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。
FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減することで、TEM像観察、EELS測定において高品質で信頼性の高いデータが得られます。
データ例
従来の条件と低加速条件の比較：InP基板
分子動力学計算によるリチウム硫黄電池正極中のリチウムイオン拡散挙動評価
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