UPS：紫外光電子分光法
半導体のイオン化ポテンシャル評価
半導体では、価電子帯立ち上がり位置（VBM）と高束縛エネルギー側の立ち上がり位置（Ek(min)）より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。
表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。
価電子帯立ち上がり位置（VBM）の決定
価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。
イオン化ポテンシャルの算出
イオン化ポテンシャル（I.P.）＝ hν-W
hν：照射紫外線のエネルギー（He I線21.22eV）
W：スペクトルのエネルギー幅（Ek(min) – VBM）
ITO膜表面のUPS測定結果
