SIMS：二次イオン質量分析法
イメージングSIMS
水素やppmレベルの不純物の空間的な分布情報を得るにはイメージングSIMSが有効です。
投影型イメージングSIMS用のRAE（RAE：Resistive Anode Encoder）検出器を用いることで、一般的にイメージング分析に用いられる走査型と比較して大口径かつ深い領域まで分布像を得ることが可能です。
測定例 SiC Schottky diode
パッケージ開封後、チップ表面にて150μmφの視野で大口径イメージングSIMS測定を行いました。
図2にAlの2次元的イオンイメージを示します。半導体中に不純物として注入されている濃度でも感度良く分布像を得ることができています。
また、図3のように指定した領域にて、元素毎のデプスプロファイルを抽出することも可能です。
