TDS:昇温脱離ガス分析法
概要
TDSは高真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温させ、脱離したガスを検出する手法です。高真空中で試料を等速昇温するため微量な脱ガス(単原子層レベル)についても温度依存性を確認することができます。また一部の成分については脱離したガスの分子数も算出可能です。
以下に、代表的な材料別にTDSを適用した例をご紹介します。
解析例




TDSは高真空中(1E-7 Pa)で試料を昇温させ、脱離したガスを検出する手法です。高真空中で試料を等速昇温するため微量な脱ガス(単原子層レベル)についても温度依存性を確認することができます。また一部の成分については脱離したガスの分子数も算出可能です。
以下に、代表的な材料別にTDSを適用した例をご紹介します。




| MST技術資料No. | B0232 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | [TDS]昇温脱離ガス分析法 |
| 製品分野 | LSI・メモリ パワーデバイス 電子部品 ディスプレイ 製造装置・部品 酸化物半導体 |
| 分析目的 | 微量濃度評価/その他 |
Consultation
経験豊富な営業担当が、
最適な分析プランを提案します。
分析費用のお見積もりも
お気軽にお問い合わせください。
ご相談・お申し込みは、専用フォーム
またはお電話にて承ります。