HAXPES:硬X線光電子分光法
概要
HAXPESでは、試料表面から深い位置まで(~約50nm)の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルクの中まで進んでいるような材料の評価に有効です。
評価例
角度分解測定イメージ図


SUS321の評価例
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HAXPESでは、試料表面から深い位置まで(~約50nm)の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が極表面のみに留まらずバルクの中まで進んでいるような材料の評価に有効です。


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POINT
非破壊/ダメージレスで数十nm程度まで深さ方向の結合状態変化が評価できます。
※深さ方向の分割範囲は調整可能です(要相談)。
| MST技術資料No. | B0286 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | [HAXPES]硬X線光電子分光法 |
| 製品分野 | 電子部品 二次電池 製造装置・部品 |
| 分析目的 | 化学結合状態評価/劣化調査・信頼性評価/不純物評価・分布評価 |
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