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極薄SiON膜の組成・膜厚評価

XPSを用いたウエハ表面数nmの膜厚の見積もり

概要

シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など、厚さ数nm以下の極薄膜について、サンプル最表面のSi2pスペクトルを測定します。得られたスペクトルの波形解析を行うことにより、各結合状態の存在割合を求め、この結果とXPSを用いたウエハ表面数nmの膜厚を見積もります(式1)。

データ

 
 
 
 
  • 各パラメータ

λ=3.3nm(AlKα線)
SiON膜厚計算:Si中Siの密度=2.33g/cm3、SiO2中Siの密度=1.24g/cm3、SiON中Siの密度≒SiO中Siの密度=1.43g/cm3
Nドーズ量計算:SiO2密度=6.6E22(atoms/cm3)、Si3N4密度=9.5E22(atoms/cm3)

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MST技術資料No. C0002
掲載日
測定法・加工法 [XPS]X線光電子分光法
製品分野 LSI・メモリ
パワーデバイス
光デバイス
電子部品
酸化物半導体
分析目的 組成評価・同定/化学結合状態評価/組成分布評価/膜厚評価

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