SIMSによるSiON膜の評価

膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能

概要

高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、
N量（単位：atoms/cm²）を高い精度で評価が可能です（図1）。またNをatomic%へ変換（図2）、
Nのフィッティングカーブ算出することができ、フィッティングによりNのピーク濃度・深さ・半値幅を算出（図3）することが可能です。

データ

SiON膜中Nの評価

• 低濃度（約1atomic%以下）領域まで評価可能
• SiON中Nの面密度（atoms/cm²）が得られる
• 膜厚が1nm程度の試料に対してもＮについてフィッテイングにより、Nのピーク濃度、深さ、半値幅が得られる

図1のプロファイルについて以下のようなデータ提出も可能です。

• atomic%表示（図2）
• Nのフィッティングデータ（図3）