半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染の分布を評価しました（図2）。また、付着物と正常部・汚染源のマススペクトルを比較し、付着物は汚染源の金属（Cr）成分・有機物成分と一致していることがわかりました。
TOF-SIMSにてベベル部（端面と傾斜面）の汚染の発生工程を捉える事が可能です。
| MST技術資料No. | C0077 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | ［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法 |
| 製品分野 | LSI・メモリ パワーデバイス 光デバイス |
| 分析目的 | 組成評価・同定/組成分布評価 |
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