TOF-SIMS深さ方向分析による劣化評価
概要
輝度が劣化した素子の有機層を大気に曝さずに前処理から深さ方向分析までを行った結果、通電後のサンプルではAlq3/発光層界面に拡散が見られました。
Slope Mapping(図1)およびイオンスパッタを利用した深さ方向分析(図2)の両方で同様の結果が得られています。
データ


輝度が劣化した素子の有機層を大気に曝さずに前処理から深さ方向分析までを行った結果、通電後のサンプルではAlq3/発光層界面に拡散が見られました。
Slope Mapping(図1)およびイオンスパッタを利用した深さ方向分析(図2)の両方で同様の結果が得られています。


| MST技術資料No. | C0131 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法 大気非暴露 |
| 製品分野 | ディスプレイ |
| 分析目的 | 組成分布評価 |
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