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トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

概要

市販LSI内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnmオーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ることもできます。また、拡散層のp/n極性も識別可能です。さらに、同一箇所のSEM観察を行い、SCM分析結果と画像合成を行うことで、拡散層と上部配線構造との位置関係を明確にできます。

データ

特定トランジスタを露出

拡散層分布の観察

拡散層と上部配線の位置関係把握

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MST技術資料No. C0149
掲載日
測定法・加工法 [SEM]走査電子顕微鏡法
[SCM]走査型静電容量顕微鏡法・[SNDM]走査型非線形誘電率顕微鏡法
製品分野 LSI・メモリ
分析目的 形状評価/製品調査

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