ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
概要
市販パワートランジスタ（DMOSFET）について、ポリSiゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。
AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。
データ
測定箇所
結果
分子動力学計算によるリチウム硫黄電池正極中のリチウムイオン拡散挙動評価
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パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価
| MST技術資料No. | C0154 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | ［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法 |
| 製品分野 | パワーデバイス |
| 分析目的 | 形状評価/製品調査 |
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