雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です
概要
p型・n型材料の活性層を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。
成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変換効率の向上が見られた試料について、TOF-SIMS深さ方向分析を行いました。その結果、PEDOT：PSS層との界面において、アニール前ではPCBMが偏析していることがわかりました。
データ
太陽電池構造の模式図
TOF-SIMSによる深さ方向分析
サンプルご提供：九州大学先導物質化学研究所 藤田克彦先生 [Ref.]安部寛子他, 第70回応用物理学会学術講演会（2009年秋季9p-ZE-5）
