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SIMSによるMEMS中ドーパントの三次元分布評価

イメージングSIMSにより微小領域・微量元素の濃度分布を可視化できます

概要

市販品MEMSについて、BとAsの三次元イメージングSIMS測定を行いました(測定領域:75μm角、深さ:約1.5μm)。測定後のデータ処理により、任意断面・任意深さの面分布、任意領域の深さ方向分布、任意箇所のラインプロファイルの抽出が可能です。

注)イオンビームで試料を掘りながら、深さ方向にイメージを取り込みますので、破壊分析となります。

データ

イオンイメージ:任意の平面及び、断面方向の不純物濃度分布を可視化できます

デプスプロファイル:任意の領域の深さ方向不純物濃度分布を抽出し、評価します

※検出感度は抽出領域の大きさに依存します。
抽出領域が大きいほど高感度分析が可能になります。

ラインプロファイル:任意の領域の平面方向不純物濃度分布を抽出し、評価します

※平面上に任意の幅のラインを引いて濃度分布を抽出します。
深さの位置は指定可能です。

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MST技術資料No. C0173
掲載日
測定法・加工法 [SIMS]二次イオン質量分析法
製品分野 LSI・メモリ
分析目的 微量濃度評価/組成分布評価

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