分析の
お問い合わせ

600V耐圧SiC Schottky Diodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

概要

高電圧電源(2000Vまで印加可能)を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。
本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。

データ

この分析事例のPDFファイルを開く

MST技術資料No. C0183
掲載日
測定法・加工法 [EMS]エミッション顕微鏡法
製品分野 パワーデバイス
分析目的 故障解析・不良解析/製品調査

Consultation

分析のご相談・
お申し込み

経験豊富な営業担当が、
最適な分析プランを提案します。
分析費用のお見積もりも
お気軽にお問い合わせください。
ご相談・お申し込みは、専用フォーム
またはお電話にて承ります。

03-3749-2525