SIMSによる酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

概要

酸化物ReRAMでは、電場印加に伴う酸素拡散がメモリ動作（抵抗変化）と関連しているとされていました。
SIMS分析では同位体を測定可能であるため、同位体¹⁸Oイオン注入技術を利用すれば、酸素拡散の追跡が可能となります。¹⁸Oを局所的に注入した素子に対し、電場印加により動作領域となるブリッジ構造を形成し、元素マッピングを行った結果、ブリッジ部では¹⁸Oの強度が弱く、局所的に還元されていることが分かりました。

データ

[引用] T. Yajima et al., Jpn. J. Appl. Phys. 49, 060215 (2010).
サンプルご提供：東京大学 高木研究室 矢島 健様