イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です
概要
市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。
イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの深さ方向濃度分布を抽出し、パターン毎に濃度分布の比較を行った事例をご紹介します。
データ
パッケージ開封後のチップ（図1）中の40μm角の領域（図2）でイメージングSIMS測定を行い、イオンイメージ（図3）として二次元的なAlの分布を可視化しました。
さらに（1）、（2）の領域についてそれぞれデプスプロファイルを抽出しました（図4）。
結果、（1）、（2）の領域においてAlの深さ方向濃度分布には顕著な差が無いことが分かりました。
このように、SIMS分析においては抽出領域のサイズや形が異なっても、不純物の濃度分布を評価することができます。
