SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
概要
SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。
本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。
本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。
データ
分子動力学計算によるリチウム硫黄電池正極中のリチウムイオン拡散挙動評価
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