SIMSによるNPT-IGBT中ドーパント調査

イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

概要

NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた¹¹B,Asのイオンイメージを示します。¹¹BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。
また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが、イメージングSIMS測定においては、部分的にデプスプロファイルを抽出することができるため、面内に局在するドーパントの濃度分布を評価することができます（図2）。

データ