SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
概要
コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されて
います。しかしながら、高温で成膜する際にAl,GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成され、
リークの原因になると言われております。
そこで、Si基板中へのAl,Gaの拡散の有無を評価するため、SIMS分析を行った事例をご紹介します。
微量の拡散を正確に評価するため、Si基板側からGaN層に向けて測定を行いました。
データ
基板側からの測定（SSDP-SIMS分析）により、Si基板中へAl,Gaがμmオーダーで拡散している様子が確認できました。
このようにSIMS分析では、低濃度（ppb～ppm）の不純物の深さ方向分布を得ることができます。
