結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価
概要
SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。
デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。
データ
分子動力学計算によるリチウム硫黄電池正極中のリチウムイオン拡散挙動評価
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