GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
概要
一般的にSIMSでは含有量が％を超える主成分レベルの元素の定量性は低いとされていますが、一次イオンにCs+を用いたMCs+（M:着目元素）検出モードを用いることで、主成分元素の深さ方向の組成分布を求めることが可能です。
GaN系LED構造におけるAl,Ga,Inについて、深さ方向の組成評価を行った例を示します。
データ
分析に用いたGaN系LED構造試料の模式図を図1に示します。
表面からn-GaNまでのプロファイルを取得し（図2-1）、標準試料を用いてIII族組成に変換しました。（図2-2）
材料によっては解釈に注意が必要ですが、CIGS, IGZO,AlGaInP,AlGaAs, SiGeなどにおいても深さ方向への組成変化、試料間での大小関係を調べることができます。
