Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析
概要
ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。
本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の試料でも発熱箇所の特定を行うことが可能です。
データ
Si系パワーダイオードのロックイン発熱解析
- V=18.5V,I=100μA ロックイン周波数0.5Hz 100 cycles
- 3.7μm～5.1μmの赤外波長域で高い感度を有するInSbカメラ(640×512画素)で検出
ロックイン発熱解析後、パッケージを開封して発熱箇所と素子の位置対応が取れていることを確認しました。
このようにパッケージを開封することなく非破壊でリーク箇所を特定できる可能性があるため、故障解析の際には有効な測定手法と言えます。
