IGZO膜中Hについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能
概要
IGZO膜はディスプレイ用TFT材料などに利用される酸化物半導体です。IGZO膜中のH濃度に応じてキャリア濃度が変化して電気特性が変動するため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中のH濃度を精度良く測定する必要があります。
SIMSを用いて加熱条件の異なるIGZO膜中のH濃度を評価した事例をご紹介します。
データ
サンプル概要
IGZOをスパッタで成膜後、3種類の条件で熱処理を行いました。（500℃、700℃、900℃）
データ
SIMS分析結果より、熱処理温度が上がるにつれ、膜中のH濃度が減少している様子が見られました。
MSTでは標準試料を用意し、測定条件を最適化することでH濃度を高精度に測定することが可能です。
