分析の
お問い合わせ

AES分析による積層試料の割断面評価

割断サンプルで50nm薄膜を可視化

概要

AES分析は最表面から数nm深さまでの組成情報を得る手法ですが、試料の断面からAES測定を行って元素分布像を得ることで、層構造を明瞭に評価することが可能です。積層構造の評価やトレンチやホールの内壁の元素分析に加え、機械加工やイオンビーム加工を併用することで、薄い合金層や元素の拡散・偏析等も評価可能です。
本事例ではSi基板上に成膜された薄膜について、AES分析を用いて評価したデータをご紹介します。

データ

Point Icon POINT

割断による断面でも簡便に高空間分解能で評価できます
金属膜との重なりを抑えて50nm厚みのSiO2膜も明瞭に観察・測定できます

この分析事例のPDFファイルを開く

MST技術資料No. C0335
掲載日
測定法・加工法 [AES]オージェ電子分光法
製品分野 LSI・メモリ
電子部品
製造装置・部品
分析目的 組成評価・同定/組成分布評価/形状評価/故障解析・不良解析

Consultation

分析のご相談・
お申し込み

経験豊富な営業担当が、
最適な分析プランを提案します。
分析費用のお見積もりも
お気軽にお問い合わせください。
ご相談・お申し込みは、専用フォーム
またはお電話にて承ります。

03-3749-2525