低ダメージで表面汚染を除去してXPSによる評価を行います
概要
XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。
通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメージにより膜本来の組成,結合状態が評価できない場合があります。Arイオンスパッタを使用せず、表面酸化層をウェットエッチングを用いて除去することで、有機付着物由来のCの影響を低減させた例をご紹介します。
データ
SiC膜について、ウェットエッチング処理前後に評価を行いました。
エッチング処理後において有機付着物、表面酸化層が減少し、膜成分が増加する傾向が確認されました。
