TDSによるSiN膜の昇温脱離ガス分析

薄膜の表面吸着ガス、膜中からの脱離ガスを評価可能

概要

Si基板上SiN膜に関するTDS分析結果を示します。
100℃近傍までの低温域では脱ガスが少なく、試料の表面に吸着成分が少なかったことが分かります。一方、試料の温度が上昇するに従い、m/z 2（H₂）、m/z 18（H₂O）、m/z 27（C₂H₃：有機物のフラグメント成分）が脱離しているのが分かります。高真空下（1E-7Pa）で分析を行うTDSは膜表面の吸着ガス成分や膜中の微量ガス成分の評価に有効です。

データ

図1 SiN膜の測定概略図

図2 SiN膜のTDS分析結果

表1 検出成分の定量値算出結果（1cm²あたり）