SIMSによる酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価

不純物元素の定量評価が可能です

概要

酸化ガリウムGa₂O₃は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa₂O₃膜中不純物の一般的なバックグラウンドレベル、検出下限値をご紹介します。実際のバックグラウンドレベル、検出下限値は、測定深さ・検出領域等により変動いたします。数値は目安としてご覧下さい。
MSTでは、Ga₂O₃標準試料を取り揃えており、40種類以上の不純物の定量が可能です。

Ga₂O₃中不純物のバックグラウンドレベル・検出下限値

※SIMS分析では、感度・他元素との兼ね合い等を勘案し適切な一次イオンを選択します。

関連資料：SIMS用語解説集（一次イオン種の使い分け 参照）