微小領域の分布評価が可能です
概要
回路の微細化にともない微小化する層間接続ビアの設計開発では、充填の良好性を把握することが求められます。TOF-SIMSは元素分析と有機物・無機物の分子情報の解析が同時にできることや、イメージ分析が可能なことから、出来ばえ評価に有効な手段です。
本資料では、Si基材に設けられた0.5μmφ程度のビアに、Cuを充填したサンプルを分析した事例を示します。正イオン分析結果より、CuおよびSiの分布が確認できました。
データ
測定概要
ビアが0.5μm程度と微小サイズのため、高面分解能モードで10μm角の分析を行いました。
結果
0.5μm程度のCu充填ビアについて、CuおよびSiの分布が確認できました。
