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めっき試料の脱ガス評価

Ni/Auめっきの昇温脱離ガス分析(TDS)

概要

めっき膜にガスが含有されている場合、はがれや膨れ、膜中の気泡など不良の原因となる場合があります。めっき膜に含有されているガスについて調査するには、高真空中で試料を昇温させて脱離したガスを測定できるTDSが有効です。
以下にSUS部材上にNi/Auめっきを施した試料について、TDS分析を行った結果を示します。めっき膜からH2, HCN, H2S, HClの脱離が確認できました。また、定量値の算出を行いました。

データ

 

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MST技術資料No. C0464
掲載日
測定法・加工法 [TDS]昇温脱離ガス分析法
製品分野 LSI・メモリ
分析目的 組成評価・同定/微量濃度評価

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