最表面、単原子層の水素をTDSで評価可能です
概要
TDSは試料を昇温し、脱離したガスをイオン化して質量分析を行う手法です。高真空中（1E-7 Pa）で、質量電荷比(m/z) 2～199について分析可能です。
今回は水素終端処理を施したSiチップについて、TDS分析を実施した例をご紹介します。TDSにて、水素終端の水素の脱離を捉えることができました。
データ
サンプル
SiチップにHF処理を施し、Siの最表面を水素終端させた試料をTDSにて分析しました。
結果
Siチップの最表面から、反応が異なる2つの水素の脱離ピークを捉えることができました。
図1 水素終端させたSiチップからの水素の脱離
ポイント
高真空中でm/z 2から検出できるTDSでは、水素終端部の水素も感度良く検出することが可能です。
