TDSによるレジスト膜の脱ガス評価

TDSにより有機膜からの脱ガス成分評価、温度依存性評価が可能です

概要

TDSは高真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温し、試料から脱離するガスを質量分析計を用いて調査する手法です。真空装置であるため有機物の多量の脱離を嫌いますが、試料量を調整することによりTDSで評価が可能です。
レジスト膜についてTDS分析を実施した例を以下に示します。有機物、水、H₂S、SO₂などレジスト膜起因の脱ガスが検出されました。また成分により、脱離の温度が異なることが分かりました。

データ

レジスト膜の脱ガスについて、TDSにて成分と温度依存性を調査しました。
試料：Si基板上レジスト膜

• 150℃付近： 水、有機物、フッ素が検出
• 350℃付近： 水、SO₂、H₂Sが検出
• 500℃付近： メタンが検出

図1 レジスト膜の脱ガス結果

適用例

レジスト膜、ポリイミド膜などの有機膜からの脱ガス評価