熱分解GC/MS法により感光剤の構造解析が可能
概要
ポジ型フォトレジストは、半導体デバイス製造時のフォトリソグラフィー材料として広く用いられています。
レジストに使用される素材は露光光源によって大きく異なりますが、g線、i線用のレジストでは一般にベース樹脂としてクレゾールノボラック樹脂、感光剤としてナフトキノンジアジド化合物が用いられています。本事例では熱分解GC/MS法によってナフトキノンジアジド化合物を分解し、母核の構造を推定した事例を紹介します。
データ
図1 熱分解GC/MSクロマトグラム
ナフトキノンジアジド化合物の推定構造
