製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング
概要
代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。
外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。
データ
分子動力学計算によるリチウム硫黄電池正極中のリチウムイオン拡散挙動評価
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