SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。
POINT
ワイドギャップ半導体、化合物半導体のpn極性分布評価に適用
キャリア濃度の低いn- Drift領域でも十分なSN比でpn極性分布を可視化
| MST技術資料No. | C0551 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | ［SCM］走査型静電容量顕微鏡法 ［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法 その他 |
| 製品分野 | パワーデバイス |
| 分析目的 | 形状評価/製品調査 |
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