SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さ評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

概要

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。
Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用いて定量的に評価した例を紹介します。

※SiC Trench MOSFET関連資料：ディスクリートパッケージ評価(C0554)              

　　　　　　　　　　　　　　　 拡散層評価(C0556)

データ

サンプル外観

分析結果

図トレンチ表面形状・表面粗さ