デバイス内部の構造を複合的に評価します
概要
MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。
本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線CTを用いてサンプル全体の内部構造を観察し、特異箇所を探索しました。続いて、ビア上に確認された特異的な構造物について、FIB-SEMを用いて詳細な構造を確認しました。
データ
X線CTによりサンプル内部の特異箇所を非破壊で把握
図1 X線CT像（特異箇所：矢印部）
図2 X線CT像（3D像、特異箇所を擬似カラー着色）
- サンプルの全体構造を三次元解析し、特異箇所を探索
FIB-SEMにより特異箇所の構造や組成を詳細に分析
図5 SEM-EDXによる元素分布分析結果
POINT
