第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム（GaN）における欠陥準位の解析

点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

概要

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。
本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損（V_N）が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。
本解析は欠損だけでなく、元素の置換など結晶材料中の様々な点欠陥に対して適用可能です。

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