GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。
本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。
分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。
POINT
✔TEM で膜厚/欠陥評価が可能
✔SIMS で不純物濃度評価が可能
✔SCM/SMM でキャリアが発生している2DEG領域を可視化
| MST技術資料No. | C0702 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | ［SIMS］二次イオン質量分析法 ［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法 ［SCM］走査型静電容量顕微鏡法・［SNDM］走査型非線形誘電率顕微鏡法 ［SMM］走査型マイクロ波顕微鏡法 |
| 製品分野 | パワーデバイス |
| 分析目的 | 微量濃度評価/形状評価/構造評価/製品調査 |
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