ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、GaN基板表面のステップ-テラスの構造を可視化し、テラス幅、ステップ高さ、表面粗さ、オフ角を評価した事例を紹介します。
POINT
✔ ステップ-テラス構造を定量的に評価が可能
✔ ウエハ面内の複数箇所を評価することで、バラつき、均一性の評価が可能
| MST技術資料No. | C0708 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | ［AFM］原子間力顕微鏡法 |
| 製品分野 | パワーデバイス 電子部品 照明 |
| 分析目的 | 形状評価 |
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