Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能
概要
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。
データ


裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。


| MST技術資料No. | C0711 |
|---|---|
| 掲載日 | |
| 測定法・加工法 | [SEM-EDX]エネルギー分散型X線分光法(SEM) [Slice&View]三次元SEM観察法 [EMS]エミッション顕微鏡法 [FIB]集束イオンビーム加工 |
| 製品分野 | パワーデバイス |
| 分析目的 | 故障解析・不良解析/製品調査 |
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