分析の
お問い合わせ

異物発生の原因調査:チューブの分析

ウエハの汚染原因を推定することが可能です

概要

TOF-SIMSは、異物、付着物、汚れ、変色など、工程に起因する汚染の原因究明に非常に有効な手法です。異物などの汚染から得られたマススペクトル情報を、汚染源候補の部品のマススペクトル情報と比較することで、それら汚染源を推測することができます。
本資料では、Siウエハの異物と、ウエハ製造工程の中で使用する樹脂製チューブ4種を準備し、そのマススペクトル情報を比較することで、異物がどの工程で使用する部品に起因する汚染なのか評価しました。

データ

定性結果

異物と汚染源候補である部品チューブA~Dの定性スペクトルを以下にまとめます。異物からは、チューブBで特徴的なCOF系のイオン()が検出されました。

図1. 評価試料のイメージ図と定性スペクトル(負イオン)
Siウエハ片 定性スペクトル
チューブ内壁

 

表1. 検出イオンのまとめ
CF系 COF系 PDMS系 フタル酸系
異物
チューブA
チューブB
チューブC
チューブD

 

考察

異物と部品チューブ4種の定性スペクトルを比較した結果、異物とチューブBがよく一致することがわかりました。これらの結果より、Siウエハ上の異物は、チューブB由来の汚染と推定されます。

Point Icon POINT

✓TOF-SIMSを用いて工程中でのウエハ汚染源の推定が可能です。

この分析事例のPDFファイルを開く

MST技術資料No. C0740
掲載日
測定法・加工法 [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法
製品分野 電子部品
製造装置・部品
日用品
分析目的 不純物評価・分布評価

Consultation

分析のご相談・
お申し込み

経験豊富な営業担当が、
最適な分析プランを提案します。
分析費用のお見積もりも
お気軽にお問い合わせください。
ご相談・お申し込みは、専用フォーム
またはお電話にて承ります。

03-3749-2525