特徴
ESD試験では半導体や電子部品が静電気によるストレスを受けた際の影響、破壊耐量を評価します。
・MM（Machine Model）試験：金属等に蓄積された静電気の放電による損傷を模した試験
・HBM（Human Body Model）試験：人体に蓄積された静電気の放電による損傷を模した試験
・CDM（Charged Device Model）試験：帯電によって電位の異なる導体と端子の接触時に発生する静電気の放電による損傷を模した試験
・ラッチアップ試験※：寄生サイリスタ構造を持つデバイスにおいて、過大な電流が流れ続ける現象 （ラッチアップ現象）に対する耐性を評価
※パルス電流注入法、電源過電圧法に対応
適用例
・半導体デバイス、電子部品
仕様
印加電圧：
ESD/ラッチアップ試験：MM 5～800V、HBM 5～4000V LU4電源搬入可能サイズ
CDM試験：0～4,000V
参照規格
HBM試験：JEITA ED-4701/302 ・JEDEC JESD22-A114 ・AEC-Q100-002 ・ESDA JS-001
ラッチアップ試験：JEITA ED-4701/302 ・JEDEC JESD78 ・AEC-Q100-004
CDM試験：JEITA ED-4701/302 ・JEDEC JESD22-C101
料金
試験条件により変動します。別途ご相談ください。
速報納期
都度ご相談ください。
必要情報
- 目的/測定内容（適用試験規格など）
- 試料情報
(1)数量・形状・ICソケット情報
(2)取り扱い注意事項 - 納期
(1)ご希望の速報納期
(2)注意事項 - その他の留意点
注意点
本手法は再委託によるサービスとなります。