OBIRCH：Optical Beam Induced Resistance Change
特徴
OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。
・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。
・DC電流経路を可視化。
・コンタクトの抵抗異常を特定可能。
・配線ショート箇所を特定可能。
・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。
適用例
・Siデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ）
・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど）
・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど）
・MEMS（圧力センサ・加速度センサ）
原理
① レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。
② レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。
③ ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。
データ例
OBIRCH測定結果：LSI配線部
OBIRCH像
重ね合わせ像
OBIRCH測定結果： Si-Power MOSFET
データ形式
- TIFFファイル： 生データ
※必要な場合は別途ご相談ください。 - JPEGファイル： 処理データ
※処理データは試料名・印加条件・倍率（スケールバー）などの記載を行います。
仕様
| 搬入可能試料サイズ | 直径150mmφ×高さ50mm程度 |
| 測定視野 | 0.26mm×0.26mm, 0.65mm×0.65mm, 2.6mm×2.6mm, 13mm×13mm |
| 倍率 | 対物レンズ×1,×5,×20,×50 |
| 位置精度 | 数μm程度 |
| 変調周波数 | 5kHzもしくは20kHz（ロックイン機能によるS/N比向上） |
| プローブ針 | 先端1μmφ,7μmφ,30μmφなど |
| 印加電圧 | DC±25V/100μA、DC±10V/100mA |
必要情報
1.目的/測定内容
2.試料情報
(1)数量、予備試料の有無など
(2)プロービング位置・定格値（耐圧）・pn型の区別・Si基板厚（裏面OBIRCHの場合）・電気測定結果（I-Vカーブ）など
(3)注意事項
3.納期
(1)ご希望の速報納期
(2)注意事項
4.その他の留意点
注意点
以下の材料は測定に悪い影響を及ぼします。
- レーザ照射により電流・電圧が不安定になるデバイス
- レーザ照射により損傷するサンプル
- オーミック接触がとれない試料