電力を制御して低消費電力を実現するため、従来のSi半導体に加えて、SiC・GaN・ダイヤモンド・Ga2O3などの研究開発が進んでいます。
パワーデバイス（パワー半導体・パワー素子）の部材評価の分析例を以下に示します。
| 評価対象 | 評価項目 | 部位 | 分析手法 |
|---|---|---|---|
| 表面保護膜 | 膜厚・形状 | 実製品 | SEM・TEM |
| 膜質（水素濃度・組成） | 実製品 | SIMS | |
| バルク・薄膜 | SIMS・FT-IR | ||
| 配線・層間絶縁膜 | 配線・層間絶縁膜の組成 | 実製品 | AES・TEM-EDX・EELS |
| バルク・薄膜 | XPS・RBS | ||
| 配線・層間絶縁膜の寸法 | 実製品 | SEM・TEM | |
| 配線内の結晶粒 | 実製品 | EBSD・TEM・ED | |
| 異物 | 実製品 | AES・TEM-EDX・Slice&View | |
| 配線金属成分の拡散 | バルク・薄膜 | SIMS | |
| 配線金属成分の拡散 | 実製品 | EMS・OBIRCH・ロックイン発熱 | |
| 配線金属の化学結合状態評価 | バルク・薄膜 | XPS | |
| ゲート電極 | ゲート電極の寸法 | 実製品 | TEM |
| ゲート電極の組成 | 実製品 | TEM-EDX・EELS | |
| ゲート電極成分の拡散 | バルク・薄膜 | SIMS | |
| ゲート絶縁膜 | 絶縁膜の寸法 | 実製品 | TEM |
| 絶縁膜の組成 | 実製品 | TEM-EDX・EELS | |
| 絶縁膜の不純物濃度分布 | バルク・薄膜 | SIMS | |
| 絶縁膜の化学結合状態評価 | バルク・薄膜 | XPS | |
| 絶縁膜の密度評価 | バルク・薄膜 | XRR | |
| 拡散層 | ドーパント分布評価 | バルク・薄膜 | SIMS |
| キャリア分布評価 | バルク・薄膜 | SRA | |
| 拡散層形状評価 | 実製品 | SCM・SMM・SSRM・SEM | |
| 結晶欠陥評価 | 実製品 | TEM | |
| 基板 | ウエハ表面汚染評価 | バルク・薄膜 | XPS・TOF-SIMS・ICP-MS |
| 結晶性評価 | バルク・薄膜 | XRD | |
| 結晶欠陥評価 | バルク・薄膜 | PL・TEM | |
| 応力評価 | バルク・薄膜 | Raman・XRD | |
| 実製品 | TEM・ED | ||
| 不純物分布評価 | バルク・薄膜 | SIMS |